深亚微米SOI工艺NMOS器件瞬时剂量率效应数值模拟

作     者：薛海卫 张猛华 杨光安 Xue Haiwei;Zhang Menghua;Yang Guang′an

作者机构：中国电子科技集团公司第五十八研究所江苏无锡214035 东南大学江苏南京210001 

出 版 物：《电子技术应用》 (Application of Electronic Technique)

年 卷 期：2019年第45卷第12期

页      码：59-61,66页

摘      要：为了研究深亚微米SOI工艺NMOS器件的瞬时剂量率效应,采用TCAD工具对0.13μm SOI工艺H型NMOS器件进行三维建模仿真。选取γ剂量率在1×10^8~1×10^10(Gy(Si)/s)的7个点,模拟了H型NMOS器件开关两种状态下的漏电流及体接触端电流与γ剂量率之间的数值关系。从模拟结果可以看出,γ剂量率在小于5×10^9 Gy(Si)/s的辐照时对器件影响很小。表明了该结构器件具有较强的抗瞬时剂量率辐射能力,为超大规模集成电路抗瞬时剂量率加固设计提供了依据。

主 题 词：瞬时剂量率效应 三维数值模拟 深亚微米SOI H型NMOS 

学科分类：080903[080903] 082703[082703] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 0827[工学-食品科学与工程类] 

D　O　I：10.16157/j.issn.0258-7998.190802

馆 藏 号：203835700...