4G AG-AND型闪存

出 版 物：《今日电子》 (Electronic Products)

年 卷 期：2004年第11期

页      码：110-110页

摘      要：4Gb的AG-AND型闪存R1FV04G13R和R1FV04G14R可提供10MBps编程速度，分别具有8位和16位配置，90nm工艺和改进的存储器单元设计使芯片面积大约缩小了三分之二，可以在单个芯片上配置512MB的记录介质。

主 题 词：闪存 512MB 芯片 存储器 配置 记录介质 编程速度 AG 90nm工艺 单元设计 

学科分类：0810[工学-土木类] 08[工学] 081002[081002] 081201[081201] 0812[工学-测绘类] 

馆 藏 号：203839258...