密集型源区正面通孔电镀热沉结构的18GHz 300mW GaAsMESFET

作     者：张玉清 邓鸿章 张慕义 

出 版 物：《半导体情报》 (Semiconductor Information)

年 卷 期：1989年第26卷第2期

页      码：8-11页

摘      要：本文简述了采用密集型源区正面通孔结构的CX911型砷化镓微波场效应晶体管的设计要点、结构特点以及主要制作技术及其实测性能。该器件在18GHz下,输出功率为300mW、增益大于4dB、最高输出功率为350mW,增益大于5dB。

主 题 词：GaAs MESFET 结构 密集型 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.13250/j.cnki.wndz.1989.02.002

馆 藏 号：203839578...