一种可使用于DCDC,LDO和Chargepump的BiCMOS基准电路设计

作     者：葛宁 GE Ning

作者机构：西安航空职业技术学院陕西西安710089 

出 版 物：《现代电子技术》 (Modern Electronics Technique)

年 卷 期：2007年第30卷第2期

页      码：192-194页

摘      要：针对集成稳压器对精密电压基准的要求,给出了一款新型的可同时应用于DC DC,LDO和Chargepump的BiCMOS带隙基准电路设计。该设计在采用温度系数补偿产生基准电源的同时,引进了快速基准检测电路,更加保证了输出的准确性。采用TT model HSpice模型进行仿真后的结果表明,此款带隙基准电路在较宽范围内温漂不超过4 mV。

主 题 词：带隙基准电路 负温度系数 热电压 HSpice仿真 

学科分类：080902[080902] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.16652/j.issn.1004-373x.2007.02.065

馆 藏 号：203840011...