大面积1.54μm波长测距用InGaAs雪崩光电二极管

作     者：谢春梅 潘青 刘铁权 黄燕丹 阎志辉 江东琼 

作者机构：重庆光电技术研究所 

出 版 物：《半导体光电》 (Semiconductor Optoelectronics)

年 卷 期：1998年第19卷第1期

页      码：56-59页

摘      要：设计并研制成功适合人的眼睛安全测距应用的ＩｎＧａＡｓ雪崩光电二极管（ＡＰＤ）。器件直径为２００μｍ，工作在２１℃，１５４０ｎｍ波长时响应度为０．６４Ａ／Ｗ，典型暗电流和噪声因子分别为３０ｎＡ和６．５。介绍了该器件的工作原理、设计和制作工艺。

主 题 词：雪崩光电二极管 响应度 暗电流 噪声因子 

学科分类：08[工学] 0803[工学-仪器类] 

核心收录：

D　O　I：10.16818/j.issn1001-5868.1998.01.016

馆 藏 号：203840640...