高压功率VDMOS元胞的研制

作     者：干红林 冯全源 王丹 GAN Honglin;FENG Quanyuan;WANG Dan

作者机构：西南交通大学微电子研究所四川成都610031 

基　　金：国家自然科学基金资助项目(No.61271090) 国家高技术研究发展计划(863计划)重大项目资助(No.2012AA012305) 

出 版 物：《电子元件与材料》 (Electronic Components And Materials)

年 卷 期：2015年第34卷第2期

页      码：47-49,61页

摘      要：基于Sentaurus TCAD仿真软件,在外延层参数与生产工艺确定的情况下,通过调整元胞的多晶硅长度优化特征导通电阻,并通过对版图元胞面积的准确计算,设计了三款导通电阻目标值为2.4,3.0和3.3Ω的高压功率VDMOS芯片。流片结果显示,导通电阻的平均值与版图计算值吻合度均超过96%,表明了该设计方法、仿真参数及版图设计具有较高的可靠性。

主 题 词：功率器件 垂直双扩散场效应管 元胞设计 导通电阻 版图 流片 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.14106/j.cnki.1001-2028.2015.02.012

馆 藏 号：203848189...