MOSFET调制器的实验研究

作     者：王相綦 何宁 冯德仁 李一丁 WANG Xiang-qi;HE Ning;FENG De-ren;LI Yi-ding

作者机构：中国科学技术大学国家同步辐射实验室合肥230029 

基　　金：国家自然科学基金资助课题(1017506210575100) 

出 版 物：《强激光与粒子束》 (High Power Laser and Particle Beams)

年 卷 期：2006年第18卷第9期

页      码：1569-1572页

摘      要：介绍了MOSFET调制器的基本原理,并对其并联分流和感应叠加两种开关结构进行了实验研究。基于可编辑逻辑器件设计了其触发电路,驱动电路采用高速MOSFET对管组成的推挽输出形式,加快了MOSFET的开关速度。利用Pspice软件对开关上有无剩余电流电路(RCD)两种情况进行仿真,结果表明,加装RCD电路可以有效吸收MOSFET在关断瞬间产生的反峰电压。实验中,电流波形用Pearson线圈测量,用3个MOSFET并联作开关,当电容充电电压为450 V,负载为30Ω时,脉冲电流13 A,前沿20 ns,平顶约80ns;用3个单元调制器感应叠加,当电容充电电压为450 A,负载为30Ω时,脉冲电流强度为40 A,前沿25 ns,平顶约70 ns。

主 题 词：MOSFET 调制器 复杂可编程逻辑器件 感应叠加 剩余电流 

学科分类：08[工学] 082701[082701] 0827[工学-食品科学与工程类] 

核心收录：

馆 藏 号：203849447...