GaN基发光二极管外延中p型AlGaN电子阻挡层的优化生长

作     者：王兵 李志聪 姚然 梁萌 闫发旺 王国宏 Wang Bing;Li Zhi-Cong;Yao Ran;Liang Meng;Yan Fa-Wang;Wang Guo-Hong

作者机构：中国科学院半导体研究所半导体照明研发中心北京100083 

基　　金：国家高技术研究发展计划(批准号:2006AA03A114)资助的课题 

出 版 物：《物理学报》 (Acta Physica Sinica)

年 卷 期：2011年第60卷第1期

页      码：473-478页

摘      要：本文利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法系统地研究了p-AlGaN层掺杂机理及优化设计生长.明确了生长温度、压力及TMAl的流量对AlGaN层Al组分的影响关系,并给出了各自不同的机理与作用.研究发现,Al组分介于10%—30%之间能够很好地将电子限定在量子阱区域并保持高的材料晶体质量.发展了一种新的生长技术来克服p-AlGaN层掺入效率低下和空穴注入不足的问题.优化条件下生长的p型AlGaN电子阻挡层很大地提升了InGaN/GaN基LED的输出光功率.

主 题 词：氮化镓基 LED Al组分 电子阻挡层 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 07[理学] 070205[070205] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 0702[理学-物理学类] 

核心收录：

D　O　I：10.7498/aps.60.016108

馆 藏 号：203849980...