高压RESURF　LDMOSFET的实现

作     者：卢豫曾 

作者机构：电子科技大学微电子所 

基　　金：国家自然科学基金 

出 版 物：《电子学报》 (Acta Electronica Sinica)

年 卷 期：1995年第23卷第8期

页      码：10-14页

摘      要：利用ＲＥＳＵＲＦ（ＲＥｄｕｃｅｄＳＵＲｆａｃｅＦｉｅｌｄ）技术，使用常规低压集成电路工艺，实现了适用于ＨＶＩＣ、耐压达１０００Ｖ的ＬＤＭＯＳＦＥＴ，本文介绍了该高压ＬＤＭＯＳＦＥＴ的设计方法、器件结构、制造工艺和测试结果。此外，本文还从实验和分析的角度探讨了覆盖在漂移区上面的金属栅──金属栅场板长度ＬＦ对ＲＥＳＵＲＦ器件耐压的影响。

主 题 词：高压 横向双扩散 MOSFET 低压集成电路 工艺 

学科分类：080903[080903] 0808[工学-自动化类] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

核心收录：

馆 藏 号：203854989...