高速电路设计与库模型应用的研究

作     者：冯军 金杰 

作者机构：东南大学射频与光电集成电路研究所江苏南京210096 

基　　金：国家863计划基金资助项目(2001AA312010) 

出 版 物：《电路与系统学报》 (Journal of Circuits and Systems)

年 卷 期：2005年第10卷第4期

页      码：125-127,94页

摘      要：通过对TSMC0.18μmCMOS工艺库模型的分析,电路仿真结果比较以及实际限幅放大器电路流片测试结果的验证比较,提出在深亚微米工艺中,大信号高速电路的设计适宜选用混合信号管进行。

主 题 词：库模型 RF管 MM管 高速电路 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

核心收录：

馆 藏 号：203855009...