极低暗电流InGaAs MSM-PD的光电特性研究

作     者：朱红卫 史常忻 陈益新 李同宁 

作者机构：上海交通大学微电子技术研究所上海200030 武汉电信器件公司武汉430074 

基　　金：国家自然科学基金 

出 版 物：《Journal of Semiconductors》 (半导体学报（英文版）)

年 卷 期：1997年第18卷第1期

页      码：22-26页

摘      要：本文首次采用双重肖特基势垒增强层技术，制作了InGaAsMSMS－PD光电探测器．实际结构表明：具有15nm的P－InP和100nmInP双重势垒增强层的器件极大地减小了暗电流，器件的暗电流均小于10nA，响应度为0．83A／W，FWHM为70ps，证明这是一种减小MSM－PD暗电流的有效设计方法．

主 题 词：光电探测器 双重势垒增强层 设计 

学科分类：08[工学] 0803[工学-仪器类] 

核心收录：

馆 藏 号：203855551...