新型相变随机存储器单元仿真系统

作     者：胡作启 李兰 袁成伟 

作者机构：华中科技大学电子科学与技术系湖北武汉430074 

基　　金：总装备部预研项目 

出 版 物：《华中科技大学学报（自然科学版）》 (Journal of Huazhong University of Science and Technology(Natural Science Edition))

年 卷 期：2009年第37卷第7期

页      码：50-53页

摘      要：为研究相变随机存储器（PCRAM）的结构、读写电路及材料等对存储单元读写性能的影响,基于Matlab和Hspice软件,集成读写电路仿真和PCRAM存储元物理仿真,研制了PCRAM存储单元仿真系统.该系统能产生宽度和幅度分别在4～150 ns和0.25～3.00 V之间可调的脉冲,适用于对多种结构存储元进行仿真.边缘接触式结构存储单元仿真结果表明：研制的系统能对存储单元的读、写性能进行评估,并为电路和存储元设计提供数据.

主 题 词：相变存储 仿真系统 读写电路 物理仿真 有限元法 

学科分类：08[工学] 081201[081201] 0812[工学-测绘类] 

核心收录：

D　O　I：10.13245/j.hust.2009.07.025

馆 藏 号：203856390...