羰基钼化学气相沉积成膜机制及相关因素研究

作     者：吕弋 章娴君 罗玲 Lu Yi;Zhang Xianjun;Luo Ling

作者机构：西南师范大学化学化工学院重庆400715 

基　　金：国家教育部攻关项目资助 

出 版 物：《西南师范大学学报（自然科学版）》 (Journal of Southwest China Normal University(Natural Science Edition))

年 卷 期：2000年第25卷第1期

页      码：28-32页

摘      要：利用金属有机气相沉积 (MOCVD)方法 ,在经过预沉积和表面研磨处理的Al2 O3 陶瓷基片上制备多晶钼膜 .通过该薄膜的表面形态及其结构的观察分析 ,讨论了该薄膜的形成机制 .结果表明 ,基片的表面形态是影响薄膜生长成核机理的重要因素 ,基底表面的状态设计是提高成核密度 。

主 题 词：MOCVD 成核机理 表面形态 薄膜 

学科分类：08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1000-5471.2000.01.008

馆 藏 号：203858155...