基于硅带隙能量的1.2V基准电压源设计

作     者：冯超 汪金辉 万培元 侯立刚 Feng Chao;Wang Jinhui;Wan Peiyuan;Hou Ligang

作者机构：北京工业大学电子信息与控制工程学院北京100124 

基　　金：高等学校博士学科点专项科研基金资助项目(20121103120018) 国家自然科学基金资助项目(61204040 60976028) 北京市自然科学基金资助项目(4123092) 北京市教育委员会科技计划项目(JC002999201301) 

出 版 物：《中国科技论文》 (China Sciencepaper)

年 卷 期：2014年第9卷第4期

页      码：400-402,416页

摘      要：基于0．35μm CSMC（central semiconductor manufacturing corporation）工艺设计，并流片了一款典型的带隙基准电压源芯片，可输出不随温度变化的高精度基准电压。电路包括核心电路、运算放大器和启动电路。芯片在3．3 V 供电电压，-40～80℃的温度范围内进行测试，结果显示输出电压波动范围为1．2128～1．2175 V，温度系数为3．22×10-5/℃。电路的版图面积为135μm×236μm，芯片大小为1 mm×1 mm。

主 题 词：基准电压源 温度系数 基准电压 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.3969/j.issn.2095-2783.2014.04.006

馆 藏 号：203858533...