基于TSMC 0.18μm RF CMOS工艺的1.2 GHz LNA的设计和仿真

作     者：祁赓 黄海生 李鑫 惠强 QI Geng;HUANG Haisheng;LI Xin;HUI Qiang

作者机构：西安邮电大学电子工程学院 

基　　金：国家自然科学基金-地区科学基金项目(61661049) 西安邮电大学研究生创新基金资助项目(CXJJLI2018013) 

出 版 物：《电子元件与材料》 (Electronic Components And Materials)

年 卷 期：2019年第38卷第12期

页      码：84-88,94页

摘      要：针对射频接收机芯片中的低噪声放大器(Low-Noise Amplifier,LNA)电路在工作时要求拥有更小的噪声系数和更好的隔离度等问题,采用TSMC 0.18μm RF CMOS工艺结合共源共栅结构设计了一款低噪声放大器,在导航接收机中主要用来接收GPS L2频段信号和BDS B2频段信号。通过对器件尺寸的计算和选择,使得电路具有良好的噪声性能及线性度。利用Cadence软件中Spectre对所设计的电路进行仿真。得到仿真结果为:LNA在1.8 V电源电压下,功耗为4.28 mW,功率增益为18.51 dB,输入回波损耗为38.67 dB,输出回波损耗为19.21 dB,反向隔离度S12为-46.91 dB,噪声系数(Noise Figure,NF)为0.41 dB,输入1 dB压缩点为-11.70 dBm,输入三阶交调点为-1.50 dBm。

主 题 词：低噪声放大器 共源共栅 噪声系数 功率增益 1 dB压缩点 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.14106/j.cnki.1001-2028.2019.12.014

馆 藏 号：203858590...