深亚微米大容量PROM芯片ESD保护技术

作     者：裴国旭 邓玉良 樊利慧 李晓辉 彭锦军 PEI Guoxu;DENG Yuliang;FAN Lihui;LI Xiaohui;PENG Jinjun

作者机构：深圳市国微电子股份有限公司广东深圳518057 

出 版 物：《电子器件》 (Chinese Journal of Electron Devices)

年 卷 期：2014年第37卷第4期

页      码：587-590页

摘      要：从全芯片角度出发,采用多电源ESD架构和全芯片ESD设计,对整颗芯片提供全方位的ESD保护,介绍了基于0.18μm CMOS工艺设计的大容量PROM芯片的ESD设计技术。同时,通过对高压编程引脚的ESD加固设计,提高了芯片的整体抗ESD能力。最终产品ESD测试满足项目要求。

主 题 词：静电放电(ESD) 可编程只读存储器(PROM) 全芯片 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 07[理学] 070205[070205] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 0702[理学-物理学类] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1005-9490.2014.04.001

馆 藏 号：203858832...