一种低相位噪声压控振荡器的设计

作     者：许奔 丁庆 王鑫 冯军正 吴光胜 XU Ben;DING Qing;WANG Xin;FENG Jun-zheng;WU Guang-sheng

作者机构：华讯方舟科技有限公司 

基　　金：深圳市科创委技术攻关项目:基于CMOS工艺的250 GHz无线收发系统芯片关键技术研发(No.JSGG20170414140231091)~~ 

出 版 物：《通信技术》 (Communications Technology)

年 卷 期：2019年第52卷第11期

页      码：2803-2807页

摘      要：设计了一种低相位噪声的CMOS压控振荡器,采用互补差分对结构、开关偏置电流源和源极电容耦合技术,有效降低了压控振荡器的相位噪声。芯片采用标准0.18 um 1P6M RF CMOS工艺实现,电源电压为1.8 V。测得的输出频率范围是2.435~2.771 GHz,消耗电流为3.3 mA,当控制电压接地时,相位噪声分别为-94.55 dBc/Hz@10 kHz和-127.24 dBc/Hz@1 MHz,算得其FOMT为-188.32 dB。

主 题 词：压控振荡器 相位噪声 源极电容耦合 开关偏置 

学科分类：080904[080904] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1002-0802.2019.11.039

馆 藏 号：203859879...