单片集成的增强型和耗尽型pHEMT技术

作     者：林豪 林伟铭 詹智梅 王潮斌 陈东仰 郑育新 肖俊鹏 林来福 林张鸿 李贵森 LIN Hao;LIN Wei-ming;ZHAN Zhi-mei;WANG Chao-bin;CHEN Dong-yang;ZHENG Yu-xin;XIAO Jun-peng;LIN Lai-fu;LIN Chang-hong;LI Gui-sen

作者机构：福联集成电路有限公司 

出 版 物：《红外》 (Infrared)

年 卷 期：2019年第40卷第9期

页      码：18-22页

摘      要：随着射频/微波器件的快速发展及其应用领域的日益扩大,基于半导体单片集成技术的多种器件集成工艺不断发展。研究了一种采用AlGaAs-InGaAs的砷化镓化合物衬底。琥珀酸湿法蚀刻工艺对器件电性能影响较小。将耗尽型和增强型赝配高电子迁移率晶体管(pseudomorphic High-Electron-Mobility Transistor,pHEMT)器件集成于同一芯片半导体工艺技术。结果表明,增强型晶体管Y型栅极的线宽为0.25 m,开启电压为0.3 V;耗尽型晶体管栅极的线宽为0.5 m,开启电压为-0.8 V,实现了在同一芯片上集成从负到正的栅极电压分布,为设计者提供了更为宽广的设计平台。这种集成技术可以应用于低噪声放大器、线性天线开关、滤波器以及功率控制装置等领域。

主 题 词：增强型 耗尽型 pHEMT 低噪声放大器 单片微波集成电路 二维电子气 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1672-8785.2019.09.004

馆 藏 号：203861296...