1V,19GHz CMOS分频器设计

作     者：曾晓军 李天望 洪志良 

作者机构：复旦大学电子工程系上海200433 

出 版 物：《Journal of Semiconductors》 (半导体学报（英文版）)

年 卷 期：2003年第24卷第4期

页      码：416-420页

摘      要：对传统分频器电路工作在低电压 (1V)时存在的问题进行了分析 ,在此基础上提出了一种新的分频器电路结构 ,将 NMOS和 PMOS管的直流偏置电压分开 ,有效地解决了分频器在低电压下工作所存在的问题 .采用 0 .18μmCMOS工艺参数进行仿真的结果表明 ,该分频器在 1V的电源电压下 ,能够工作的最高输入频率为 19GHz,功耗仅为 2 .5 m W.

主 题 词：CMOS 分频器 频率合成器 锁相环 场效应器件 

学科分类：080902[080902] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

核心收录：

D　O　I：10.3969/j.issn.1674-4926.2003.04.017

馆 藏 号：203863206...