抗辐照标准单元库验证方法研究

作     者：徐大为 姚进 胡永强 刘永灿 周晓彬 陈菊 XU Dawei;YAO Jin;HU Yongqiang;LIU Yongcan;ZHOU Xiaobin;CHEN Ju

作者机构：中国电子科技集团公司第58研究所江苏无锡214035 

出 版 物：《电子与封装》 (Electronics & Packaging)

年 卷 期：2015年第15卷第3期

页      码：14-17页

摘      要：对抗辐照单元库的验证方法进行研究。以0.5μm抗辐照单元库为例,研究抗辐射单元库的验证方法。设计了一款验证电路,对单元库进行验证,单元库功能和性能满足设计要求,抗辐射能力达到500 krad(Si)。

主 题 词：抗辐照标准单元 SOI 验证电路 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.16257/j.cnki.1681-1070.2015.0026

馆 藏 号：203863507...