采用电流复用技术的8mm频段低噪声放大器

作     者：郑远 吴键 艾萱 钱峰 陈新宇 杨磊 ZHENG Yuan;WU Jian;AI Xuan;QIAN Feng;CHEN Xinyu;YANG Lei

作者机构：南京国博电子有限公司南京210016 南京电子器件研究所南京210016 

出 版 物：《固体电子学研究与进展》 (Research & Progress of SSE)

年 卷 期：2013年第33卷第2期

页      码：124-129,174页

摘      要：利用电流复用技术设计8mm频段低噪声放大器芯片,采用0.15μm GaAs PHEMT工艺,芯片尺寸为1.73mm×0.75mm×0.1mm。测试结果显示:在32～38GHz频带内,放大器增益大于21dB,噪声系数小于1.85dB,输入、输出电压驻波比小于2.5,P1 dB大于7dBm,功耗5V,28mA,采用电流复用技术比传统设计的功耗降低将近40%。

主 题 词：低噪声放大器 砷化镓 赝配高电子迁移率场效应晶体管 微波单片集成电路 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1000-3819.2013.02.005

馆 藏 号：203863767...