抗核辐照功率晶体管GAT优化设计的必要条件

作     者：庄宝煌 黄美纯 朱梓忠 张志鹏 李开航 吴丽清 ZHUANG Bao-huang;HUANG Mei-chun;ZHU Zi-zhong;ZHANG Zhi-peng;LI Kai-hang;WU Li-qing

作者机构：厦门大学物理学系福建厦门361005 

基　　金：国家自然科学基金!(6 9896 2 6 0 - 6 0 ) 国家高技术研究发展计划!(86 3- 715- 0 10 )资助项目 

出 版 物：《厦门大学学报（自然科学版）》 (Journal of Xiamen University：Natural Science)

年 卷 期：2000年第39卷第2期

页      码：163-168页

摘      要：通过关于电力半导体器件 GAT的集电结耗尽层电位分布和电场分布的二维解析模型定量研究了优化设计 GAT的工艺参数和结构参数的关系 ,即抗核辐照器件

主 题 词：GAT 优化设计 功率晶体管 抗核辐照 工艺参数 

学科分类：080903[080903] 080802[080802] 0808[工学-自动化类] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

核心收录：

D　O　I：10.3321/j.issn:0438-0479.2000.02.005

馆 藏 号：203865429...