看过本文的还看了

相关文献

该作者的其他文献

文献详情 >一种基于电平位移电路的低电压全摆幅CMOS运放 收藏
一种基于电平位移电路的低电压全摆幅CMOS运放

一种基于电平位移电路的低电压全摆幅CMOS运放

作     者:潘学文 周继承 郑旭强 PAN Xue-wen;ZHOU Ji-cheng;ZHENG Xu-qiang

作者机构:中南大学物理科学与技术学院湖南长沙410083 

基  金:国家自然科学基金资助项目(60371046) 湖南省国际合作项目(1713-394201034) 

出 版 物:《中南大学学报(自然科学版)》 (Journal of Central South University:Science and Technology)

年 卷 期:2010年第41卷第4期

页      码:1473-1477页

摘      要:为解决阈值电压对电源电压和输入信号的受限问题,提出一种实用的电平位移电路,为运放的输入级提供良好的电平位移。采用互补金属氧化物半导体(CMOS)0.5μm工艺设计的低电压全摆幅CMOS运算放大器,中间级采用适合低电压工作的低压宽摆幅共源共栅结构,输出级采用传统的Class A类得到轨至轨的输出。采用Hspice软件对所设计的电路进行仿真。研究结果表明:当电源电压降至或者小于NMOS与PMOS的阈值电压之和时,在任何共模输入电压下,该运放都能正常工作,实现输入级的全摆幅和恒跨导;在1.3 V单电源供电情形下直流开环增益达106.5 dB,单位增益带宽为2.3 MHz,功耗178.8μW。电路结构简单紧凑,具有实用的电平位移功能,适合于低电压应用。

主 题 词:CMOS运放 全摆幅 仿真 电平位移技术 

学科分类:080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

核心收录:

馆 藏 号:203866113...

读者评论 与其他读者分享你的观点

用户名:未登录
我的评分