全平面自对准离子注入技术的X波段功率GaAs MESFET

作     者：郝冠军 姚毓明 郑晨焱 夏先齐 

出 版 物：《航天电子对抗》 (Aerospace Electronic Warfare)

年 卷 期：1993年第22卷第1期

页      码：10-13页

摘      要：叙述了采用先进的全平面自对准Si、Mg离子共注入技术的X波段功率GaAs MESFET的设计及制作工艺。采用0.5μm难熔“T”型复合栅及非对称的源、漏结构提高可靠性和击穿电压。在工艺上,使用了一种简便有效的亚微米光刻技术溅射形成TiWN/Au“T”型复合难熔栅,提高高频性能。测试结果表明各项指标均满足设计要求,在X波段可获得1W的输出功率,具有高击穿、低夹断、小电流、大跨导的特点。

主 题 词：砷化镓 场效应晶体管 自对准 离子注入 

学科分类：11[军事学] 080904[080904] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 110503[110503] 0810[工学-土木类] 1105[1105] 1104[1104] 082601[082601] 081105[081105] 0826[工学-生物医学工程类] 081001[081001] 0825[工学-环境科学与工程类] 081002[081002] 0811[工学-水利类] 

馆 藏 号：203869843...