微波大功率SiGe HBT的研究进展及其应用

作     者：徐剑芳 李成 赖虹凯 

作者机构：厦门大学物理系半导体光子学研究中心福建厦门361005 

基　　金：国家自然科学基金重点资助项目(60336010) 福建省青年科技人才创新项目(2004J021)资助 

出 版 物：《微电子学》 (Microelectronics)

年 卷 期：2005年第35卷第5期

页      码：521-526页

摘      要：文章论述了SiGe异质结双极晶体管(HBT)在微波功率领域应用的优势,详细介绍了微波功率SiGe HBT的结构设计方法,以及主要影响器件性能的材料和结构因素,评述了其最新进展及今后发展方向。

主 题 词：SiGe 异质结双极晶体管 微波 大功率 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

馆 藏 号：203870406...