显微光谱研究半绝缘GaAs带边以上E_0+Δ_0光学性质

作     者：包志华 景为平 罗向东 谭平恒 Bao Zhi-Hua;Jing Wei-Ping;Luo Xiang-Dong;Tan Ping-Heng

作者机构：南通大学江苏省专用集成电路设计重点实验室南通226007 中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室北京100083 

基　　金：江苏省自然科学基金(批准号:BK2004403) '六大人才高峰'项目 南通大学校级项目(批准号:05Z011)资助的课题. 

出 版 物：《物理学报》 (Acta Physica Sinica)

年 卷 期：2007年第56卷第7期

页      码：4213-4217页

摘      要：通过显微光致发光技术和显微拉曼(Raman)技术研究了半绝缘GaAs(SI-GaAs)晶体的带边附近的发光.在光荧光谱中,观察到在高于GaAs带边0.348eV处有一个新的荧光峰.结合Raman谱指认此发光峰来源于GaAs的E0+Δ0能级的非平衡荧光发射.同时,通过研究E0+Δ0能级的偏振、激发光强度依赖关系,以及温度依赖关系说明E0+Δ0能级与带边E0共享了共同的导带位置Γ6,同时这也说明在GaAs中主要是导带的性质决定了材料的光学行为.同时,通过与n-GaAs和δ掺杂GaAs相比较,半绝缘GaAs晶体的E0+Δ0能级的发光峰更能反映GaAs电子能级高临界点E0+Δ0的能量位置和物理性质.研究结果说明显微光致发光技术是研究半导体材料带边以上能级光学性质的一种非常有力的研究工具.

主 题 词：半绝缘GaAs 显微光致发光 自旋轨道分裂 

学科分类：07[理学] 070205[070205] 0702[理学-物理学类] 

核心收录：

D　O　I：10.7498/aps.56.4213

馆 藏 号：203870902...