多层结构铁电薄膜的I-V特性性能的研究

作     者：李兴教 黄新堂 赵建洪 郑远开 董晓敏 李再光 王新兵 李少平 

作者机构：华中理工大学固体电子学系 华中理工大学激光技术国家重点实验室 美国伊利诺斯州阿贡国家实验室 

基　　金：国家自然科学基金 激光技术国家实验室开放基金 

出 版 物：《压电与声光》 (Piezoelectrics & Acoustooptics)

年 卷 期：1997年第19卷第6期

页      码：398-404页

摘      要：为ＦＲＡＭ、ＦＦＥＴ和ＦＤＭ的实际应用研究，提出了多层结构铁电薄膜的设计思想，实际制备了Ｍ／ＢＩＴ／ｐ－Ｓｉ、Ｍ／ＰＺＴ／ＢＩＴ／ｐ－Ｓｉ、Ｍ／ＢＩＴ／ＰＺＴ／ＢＩＴ／ｐ－Ｓｉ三种结构铁电薄膜，并测量了它们的Ｉ－Ｖ特性曲线。结果表明，夹层结构铁电薄膜Ｍ／ＢＩＴ／ＰＺＴ／ＢＩＴ／ｐ－Ｓｉ漏电流密度Ｊ最小，在５００ｎｍ厚时Ｊ＋（＋３Ｖ）约２．８×１０－１０Ａ／ｍｍ２，Ｊ－（－３Ｖ）约１．２×１０－１２Ａ／ｍｍ２优于单层和双层结构铁电薄膜的结果。

主 题 词：多层铁电薄膜 PLD方法 I-V特性曲线 铁电体 

学科分类：080801[080801] 0808[工学-自动化类] 08[工学] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

核心收录：

馆 藏 号：203871274...