0.18μm CMOS高线性低噪声混频器设计

作     者：张照锋 徐结海 张长春 ZHANG Zhaofeng;XU Jiehai;ZHANG Changchun

作者机构：南京信息职业技术学院南京210023 南京邮电大学南京210023 

基　　金：南京信息职业技术学院开放基金项目(KF20160101) 

出 版 物：《电子器件》 (Chinese Journal of Electron Devices)

年 卷 期：2019年第42卷第6期

页      码：1362-1366页

摘      要：采用标准0.18μm CMOS工艺,设计了一种应用于超外差接收机的高线性度、低噪声系数下变频混频器。基于经典基尔伯特混频器架构,该混频器采用共栅结构跨导级提高线性度,引入电容交叉耦合技术增加跨导增益及降低噪声系数,并通过电流注入技术同时降低开关级和跨导级的噪声贡献。在1.8 V电源电压下,后仿真结果显示,该混频器消耗功耗12 mW,取得噪声系数10.75 dB,输入1 dB压缩点-1.45 dBm,达到了预期的高线性度、低噪声系数性能要求。该混频器占用面积为650μm×655μm。

主 题 词：混频器 线性度 噪声系数 电容交叉耦合 电流注入 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1005-9490.2019.06.003

馆 藏 号：203871655...