组分可控的浓缩法制备高锗组分SGOI的研究(英文)

作     者：刘旭焱 姬晓旭 王爱华 张帅 秦怡 李根全 LIU Xu-yan;JI Xiao-xu;WANG Ai-hua;ZHANG Shuai;QIN Yi;LI Gen-quan

作者机构：南阳师范学院物理与电子工程学院南阳473061 

基　　金：Natural Science Foundation of China(61306007) Scientific Research Key Project of Henan Province Education Department(14A510004) Key Scientific and Technological Project of Henan Province(132102210048) Special Project of Nanyang Normal University(ZX2012017) 

出 版 物：《人工晶体学报》 (Journal of Synthetic Crystals)

年 卷 期：2014年第43卷第7期

页      码：1781-1787页

摘      要：高Ge组分的SiGe薄膜在应变硅、应变锗以及高速器件的应用前景十分广阔。本文以Si/SiGe/SOI(绝缘体上的硅)结构为初始样品,设计了系统性的氧化浓缩实验,通过大量的分析和参数调整,制备获得了不同组分比的绝缘体上锗硅(SiGe on insulator,SGOI)薄膜样品。结合X射线衍射(XRD)和拉曼光谱(Raman)等测试手段表征了制备样品的晶格质量和元素组分,其中Ge组分最高达到80.5%。综合分析表明:在适当的条件下,Ge组分和浓缩时间线性关系明显,浓缩制备SGOI材料可以做到组分可控性,为相关的进一步研究提供便利。

主 题 词：绝缘体上锗硅 锗浓缩 组分可控 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 0817[工学-轻工类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 0703[理学-化学类] 0702[理学-物理学类] 

核心收录：

D　O　I：10.3969/j.issn.1000-985X.2014.07.033

馆 藏 号：203874143...