单芯片大功率RFLDMOS晶体管设计与实验

作     者：刘武平 周星 韩鹏宇 邓小川 LIU Wuping;ZHOU Xing;HAN Pengyu;DENG Xiaochuan

作者机构：电子科技大学微电子与固体电子学院成都610054 

出 版 物：《电子与封装》 (Electronics & Packaging)

年 卷 期：2014年第14卷第2期

页      码：42-44页

摘      要：传统射频LDMOS晶体管的源区采用重掺杂p+sinker结构,该结构会占据较大的芯片面积。文中采用槽型sinker结构,可将源区sinker面积减少1/3以上。通过流片实验,得到饱和电流为170 mA/mm、击穿电压120 V、截止频率和最大振荡频率分别为5.5 GHz和10 GHz的RF LDMOS器件。在50 V工作电压、1 090 MHz频点下栅宽345 mm单芯片器件的最大输出功率362 W,功率增益15.6 dB,漏极效率38.1%。

主 题 词：RF LDMOS 槽型sinker 击穿电压 功率增益 漏极效率 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1681-1070.2014.02.012

馆 藏 号：203874152...