RTD/HEMT多值逻辑(MVL)电路的PSPICE模拟

作     者：刘宏伟 牛萍娟 郭维廉 苗长云 

作者机构：天津工业大学信息与通信工程学院天津300160 

基　　金：天津市高等学校科技发展基金资助项目(20020711) 

出 版 物：《微纳电子技术》 (Micronanoelectronic Technology)

年 卷 期：2004年第41卷第2期

页      码：9-13页

摘      要：由共振隧穿二极管(RTD)与高电子迁移率晶体管(HEMT)相并联组成的结构是构成当前RTD高速数字电路常用的基本单元。由于RTD的负阻、双稳和自锁特性,由RTD/HEMT组成的逻辑电路可以大大减少器件的数目,用最少的器件完成一定的逻辑功能。本文对多值逻辑(MVL)中的文字逻辑门用PSPICE模拟软件进行了电路模拟,模拟结果与预期结果一致,并有助于指导该电路的设计。

主 题 词：RTD/HEMT 多值逻辑电路 PSPICE模拟 共振隧穿二极管 高电子迁移率晶体管 电路设计 

学科分类：080902[080902] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1671-4776.2004.02.002

馆 藏 号：203878616...