压电电子学金属-绝缘体-半导体晶体管的电容-电压特性

作     者：郑嘉扬 周永利 张亚明 李立杰 张岩 Jiayang Zheng;Yongli Zhou;Yaming Zhang;Lijie Li;Yan Zhang

作者机构：School of PhysicsUniversity of Electronic Science and Technology of ChinaChengdu 610054China Department of Computer ScienceUniversity of RochesterRochesterNY 14627USA Beijing Institute of Nanoenergy and NanosystemsChinese Academy of SciencesBeijing 100083China Multidisciplinary Nanotechnology CentreCollege of EngineeringSwansea UniversitySwansea SA18ENUK College of Nanoscience and TechnologyUniversity of Chinese Academy of SciencesBeijing 100049China 

基　　金：the support from Swansea University,Solar Photovoltaic Academic Research Consortium(SPARC)Ⅱproject University of Electronic Science and Technology of China 

出 版 物：《Science Bulletin》 (科学通报（英文版）)

年 卷 期：2020年第65卷第2期

页      码：161-168,88页

摘      要：压电半导体具有压电效应和半导体电学特性,可以用于压电电子学器件和压电光电子学器件.压电电子学器件和压电光电子学器件利用外加应变产生的压电电荷调控压电电子学pn结、金属半导体(M-S)接触的载流子传输、分离、复合等过程.压电电子学器件具有灵敏度高、响应速度快和功耗超低的优点,非常适合在自驱动系统中应用,因此在物联网、可穿戴系统、植入式传感系统具有巨大的应用价值.压电电荷的分布宽度能够显著影响压电电子学器件的传感性能,是压电电子学器件重要参数之一.压电电荷的分布宽度则可以通过压电电子学器件的电容电压(C-V)特性获得.本文以压电电子学金属-绝缘体-半导体(MIS)晶体管为例,提出对压电电荷分布影响进行测量和计算的理论模型,并进行了数值模拟,为以C-V测量为基础的结区压电电荷分布宽度实验设计给出了可行的理论方案.

主 题 词：Piezotronic effect Capacitance-voltage(C-V)characteristics Metal-insulator-semiconductor Distribution width of strain-induced piezoelectric charges 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

核心收录：

D　O　I：10.1016/j.scib.2019.11.001

馆 藏 号：203878670...