迫弹激光引信用脉冲半导体激光电源的设计与应用

作     者：姚萍萍 张毅 涂碧海 王相京 赵平建 赵欣 Yao Pingping;Zhang Yi;Tu Bihai;Wang Xiangjing;Zhao Pingjian;Zhao Xin

作者机构：中国科学院安徽光学精密机械研究所安徽合肥230031 

基　　金：中国科学院合肥物质科学研究院院长基金 

出 版 物：《红外与激光工程》 (Infrared and Laser Engineering)

年 卷 期：2011年第40卷第9期

页      码：1696-1700页

摘      要：设计了适应于迫弹激光近炸引信的小体积、低电压、窄脉宽、高功率的脉冲半导体激光电源。采用电容充放电的模式,选用高速大功率MOSFET管作为开关,设计了相应的高速开关控制电路。激光电源模块的重复频率高达50 kHz,常规热电池供电电压条件下的输出脉冲激光峰值功率为9 W,光脉冲上升沿为4.2 ns,光脉宽为10 ns,为有效提高迫弹激光近炸引信定距精度和抗阳光、烟雾等干扰提供了保证。

主 题 词：激光近炸引信 半导体激光器 驱动电路 纳秒级脉冲 

学科分类：080904[080904] 0810[工学-土木类] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 081105[081105] 081001[081001] 081002[081002] 0825[工学-环境科学与工程类] 0811[工学-水利类] 

核心收录：

D　O　I：10.3969/j.issn.1007-2276.2011.09.020

馆 藏 号：203879420...