串联IGBT的一种新型单信号驱动电路
出 版 物：《电子世界》 (Electronics World)
年 卷 期：2020年第1期
页 码：133-134页
摘 要：单个IGBT的耐压水平有限,通常通过串联使用来提高耐压值。在IGBT的串联使用中,各个IGBT的集电极和发射极两端电压不均衡是需要解决的关键性问题。针对IGBT串联中以往各种均压驱动技术,本文提出了一种串联IGBT均压驱动的新思路,使用单一信号驱动串联IGBT的设计方法,其电路结构简单可靠,均压效果理想,导通关断延时基本取决有IGBT器件本身。通过Multisim软件进行了仿真,验证了可行性。1引言功率绝缘栅双极晶体管(insulate gate bipolar transistor,IGBT)为电压控制型器,其具有输入阻抗高、驱动功率小、导通电阻小、开关损耗低的特点,已经广泛应用于电力电子和高压变频等领域。然而单个IGBT器件的耐压值有限,IGBT串联使用可以提高其耐压值,是现今最常用的方法。在IGBT的串联使用中,各个IGBT的集电极和发射极两端电压不均衡是IGBT串联使用中的关键性问题。
主 题 词：绝缘栅双极晶体管 导通电阻 Multisim软件 耐压水平 输入阻抗 耐压值 IGBT串联 驱动功率
学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502]
D O I：10.19353/j.cnki.dzsj.2020.01.065
馆 藏 号：203880034...
