SiC器件在雷达电源中的应用

作     者：卢胜利 熊才伟 漆岳 LU Shengli;XIONG Caiwei;QI Yue

作者机构：南京电子技术研究所 

出 版 物：《现代雷达》 (Modern Radar)

年 卷 期：2019年第41卷第12期

页      码：75-79页

摘      要：现代雷达的发展迫切需要电源提升功率密度和效率。基于第三代半导体碳化硅(SiC)材料的功率器件在耐压等级、高频工作、高温性能等方面有较大优势。文中详细阐述了SiC器件的特性和各类型SiC功率器件的发展现状,分析了SiC功率器件在雷达电源中的应用方向,并基于SiC金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)设计了阵面电源样机,完成了高开关频率性能测试。实验结果表明:SiC MOSFET的高频工作能降低系统损耗,并提升电源功率密度。

主 题 词：碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 高开关频率 电源 全桥 

学科分类：0810[工学-土木类] 08[工学] 081001[081001] 

D　O　I：10.16592/j.cnki.1004-7859.2019.012.017

馆 藏 号：203880145...