自催化生长GaSb纳米线及其在高性能紫外-可见-近红外光电探测器中的应用（英文）

作     者：张凯 柴瑞青 史瑞龙 娄正 沈国震 Kai Zhang;Ruiqing Chai;Ruilong Shi;Zheng Lou;Guozhen Shen

作者机构：State Key Laboratory of Superlattices and MicrostructuresInstitution of SemiconductorsChinese Academy of SciencesBeijing 100083China Center of Materials Science and Opto-electronic EngineeringUniversity of Chinese Academy of SciencesBeijing 100029China Hebei Key Lab of Optic-electronic Information and Materialsthe College of Physics Science and TechnologyHebei UniversityBaoding 071002China 

基　　金：supported by the National Natural Science Foundation of China (61574132 and 61625404) 

出 版 物：《Science China Materials》 (中国科学（材料科学（英文版）)

年 卷 期：2020年第63卷第3期

页      码：383-391页

摘      要：本文应用镓金属液滴作为催化剂,采用化学气相沉积方法自催化合成了单晶GaSb纳米线.研究表明该GaSb纳米线为典型的p型半导体,霍尔迁移率为>0.042 cm^2V^-1s^-1.硅基和柔性衬底上构筑的基于GaSb纳米线的光电探测器,具有良好的紫外-可见-近红外宽光谱探测性能.硅基器件对500 nm的可见光响应率可达3.86×10^3A W-1,探测率可达3.15×10^13Jones;柔性器件在保持相似光电性能的同时,具有极好的机械柔韧性和稳定性.本文有助于更好地揭示自催化生长的GaSb纳米线的性能,并为进一步设计基于GaSb纳米线的功能光电器件打下了实验基础.

主 题 词：霍尔迁移率 光电探测器 光电器件 探测率 柔性衬底 探测性能 可见光响应 柔性器件 

学科分类：07[理学] 070205[070205] 08[工学] 080401[080401] 080501[080501] 0804[工学-材料学] 0805[工学-能源动力学] 081102[081102] 0811[工学-水利类] 0702[理学-物理学类] 

核心收录：

D　O　I：10.1007/s40843-019-1189-7

馆 藏 号：203880704...