4×5Gbit/s VCSEL阵列驱动集成电路

作     者：陈强军 赵聪 郭迪 孙向明 Chen Qiangjun;Zhao Cong;Guo Di;Sun Xiangming

作者机构：华中师范大学物理科学与技术学院像素实验室武汉430079 

基　　金：国家自然科学基金面上项目(11875145) 

出 版 物：《半导体技术》 (Semiconductor Technology)

年 卷 期：2020年第45卷第2期

页      码：110-115页

摘      要：基于GSMC 130 nm工艺设计并制备了一款4通道垂直腔面发射激光器(VCSEL)阵列驱动电路芯片。该芯片核心电路主要包括限幅放大器(LA)、输出级驱动电路、带隙基准电压源、8 bit数模转换器(DAC)电路等。输出级驱动电路将LA输出的电压信号转换成电流信号,并配合偏置电路驱动VCSEL,实现调制发光,其中LA采用有源电感峰化结构,其峰化强度可通过DAC进行配置,输出级驱动加入前馈电容补偿技术以拓展带宽。在典型输出配置(输入差分峰峰值200 mV、5 Gbit/s的PRBS7信号)下,每个通道可输出最大12.5 mA的调制电流和2 mA的偏置电流。芯片实测结果表明,在典型输出配置下得到干净清晰的5 Gbit/s眼图,每个通道的总抖动为31.535 ps,功耗为84.5 mW。

主 题 词：垂直腔面发射激光器(VCSEL)阵列驱动 集成电路 限幅放大器(LA) 有源电感峰化 前馈电容补偿技术 带宽拓展 

学科分类：080903[080903] 080901[080901] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080401[080401] 0804[工学-材料学] 0803[工学-仪器类] 

D　O　I：10.13290/j.cnki.bdtjs.2020.02.003

馆 藏 号：203882894...