关于非对称含错学习问题的困难性研究

作     者：张江 范淑琴 ZHANG Jiang;FAN Shuqin

作者机构：密码科学技术国家重点实验室 

基　　金：国家重点研发计划(2017YFB0802005,2018YFB0804105) 国家自然科学基金(61602046,61932019) 中国科协“青年人才托举工程”(2016QNRC001) 

出 版 物：《电子与信息学报》 (Journal of Electronics & Information Technology)

年 卷 期：2020年第42卷第2期

页      码：327-332页

摘      要：由于基于最坏情况困难假设等优点,基于格的密码被认为是最具前景的抗量子密码研究方向。作为格密码的常用的两个主要困难问题之一,含错学习(LWE)问题被广泛用于密码算法的设计。为了提高格密码算法的性能,Zhang等人(2019)提出了非对称含错学习问题,该文将从理论上详细研究非对称含错学习问题和标准含错学习问题关系,并证明在特定错误分布下非对称含错学习问题和含错学习问题是多项式时间等价的,从而为基于非对称含错学习问题设计安全的格密码算法奠定了理论基础。

主 题 词：抗量子密码 格密码 含错学习问题 

学科分类：11[军事学] 1105[1105] 0839[0839] 08[工学] 110505[110505] 110503[110503] 081201[081201] 0812[工学-测绘类] 

核心收录：

D　O　I：10.11999/JEIT190685

馆 藏 号：203884322...