新型无结型晶体管特性仿真及性能优化设计

作     者：孙川川 高瑛珂 王农 李圣龙 赵云富 梁贤赓 SUN Chuanchuan;GAO Yingke;WANG Nong;LI Shenglong;ZHAO Yunfu;LIANG Xiangeng

作者机构：北京控制工程研究所北京100190 

基　　金：抗辐照应用技术创新中心创新基金资助项目(19-H863-02-ZT-003-024-18) 

出 版 物：《微电子学》 (Microelectronics)

年 卷 期：2020年第50卷第1期

页      码：106-111页

摘      要：随着晶体管特征尺寸缩小至10 nm以下,传统Si基MOSFET面临诸多挑战,而新型沟道材料和器件结构将有望进一步提升器件性能。基于绝缘体上锗衬底的无结型晶体管(GOI-JLT)制作工艺简单、电学特性优良,有望在空间电子系统中应用。利用TCAD仿真软件Sentaurus,研究了GOI-JLT的电学特性,提出一种通过调节沟道掺杂分布来优化器件性能的方法。仿真结果表明,沟道采用高斯掺杂分布,能显著降低器件关态漏电流(降低约三个数量级),提高开关比(提高约三个数量级),抑制短沟道效应。

主 题 词：无结型晶体管 绝缘体上锗 沟道掺杂分布 短沟道效应 TCAD仿真 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.13911/j.cnki.1004-3365.190664

馆 藏 号：203884695...