高性能9xx nm大功率半导体激光器（英文）

作     者：袁庆贺 井红旗 仲莉 刘素平 马骁宇 YUAN Qing-he;JING Hong-qi;ZHONG Li;LIU Su-ping;MA Xiao-yu

作者机构：中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程中心北京100083 中国科学院大学材料科学与光电技术学院北京100049 

基　　金：国家自然科学基金(41414010302)资助项目~~ 

出 版 物：《发光学报》 (Chinese Journal of Luminescence)

年 卷 期：2020年第41卷第2期

页      码：194-198页

摘      要：为了改善9xx nm高功率半导体激光器的性能,对n包层和p包层的掺杂分布进行了调整,以减小激光器的内部损耗。同时为了减小有源区载流子的泄漏,在有源区和波导层之间引入了高能量带隙GaAsP。设计并制作了内部损耗为1.25 cm-1的高功率激光器。器件可靠性工作的最大输出功率为26.5 W。当输出功率为10.5 W时,最大电光功率转换效率为72.4%,斜率效率为1.16 W/A。

主 题 词：激光二极管 内部损耗 自由载流子吸收 

学科分类：0808[工学-自动化类] 080901[080901] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080401[080401] 0804[工学-材料学] 0805[工学-能源动力学] 0827[工学-食品科学与工程类] 0703[理学-化学类] 0803[工学-仪器类] 0702[理学-物理学类] 1009[医学-法医学类] 

核心收录：

D　O　I：10.3788/fgxb20204102.0194

馆 藏 号：203884709...