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基于2ED020I12-FA隔离芯片的IGBT驱动电路研究与设计

基于2ED020I12-FA隔离芯片的IGBT驱动电路研究与设计

作     者:李祥来 颜渐德 谢卫才 LI Xiang-lai;YAN Jian-de;XIE Wei-cai

作者机构:湖南工程学院电气信息学院湘潭411104 

基  金:湖南省教育厅科研资助项目(18C0707)、(18A348) 

出 版 物:《湖南工程学院学报(自然科学版)》 (Journal of Hunan Institute of Engineering(Natural Science Edition))

年 卷 期:2020年第30卷第1期

页      码:20-23页

摘      要:绝缘栅双极晶体管(IGBT)驱动电路设计的优劣直接关系到电力电子设备运行的性能.高性能的驱动电路能够很好的驱动功率器件,使其准确地工作于导通或截止,保证功率器件高效、稳定运行.文中分析了IGBT驱动电路的设计要求,结合英飞凌磁耦隔离芯片2ED020I12-FA的工作特点,设计了基于2ED020I12-FA的IGBT驱动电路.实验结果表明,该驱动电路具有结构简单、稳定可靠等优良特性.

主 题 词:驱动电路 IGBT 磁耦隔离 

学科分类:080902[080902] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D O I:10.15987/j.cnki.hgbjbz.2020.01.005

馆 藏 号:203884952...

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