能级填充对量子阱光学性质的影响

作     者：朱莉 郑厚植 谭平恒 周霞 姬扬 杨富华 李桂荣 曾宇昕 Zhu Li;Zheng Hou-Zhi;Tan Ping-Heng;Zhou Xia;Ji Yang;Yang Fu-Hua;Li Gui-Rong;Zeng Yu-Xin

作者机构：四川大学物理科学与技术学院成都610064 中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室北京100083 

基　　金：国家重点基础研究专项基金 (批准号 :G0 0 1CB3 0 95 ) 国家高技术研究发展计划 (批准号:2 0 0 2AA3 0 2 10 4)资助的课题~~ 

出 版 物：《物理学报》 (Acta Physica Sinica)

年 卷 期：2004年第53卷第12期

页      码：4334-4340页

摘      要：在特殊设计的三势垒双势阱结构中 ,利用来自发射极的电子注入和电子向收集极的共振隧穿逃逸调控量子阱不同子能级上的填充状态 ,发现激发态上的电子占据起抑制量子限制Stark效应的作用 .在极低偏压下 ,量子阱中少量过剩电子诱发了用简单带—带跃迁无法解释的光致发光光谱行为 .

主 题 词：能级 量子阱 双势阱 激发态 电子注入 Stark效应 光学性质 发射极 共振隧穿 光致发光光谱 

学科分类：07[理学] 0809[工学-计算机类] 070205[070205] 08[工学] 070203[070203] 0805[工学-能源动力学] 0704[理学-天文学类] 0702[理学-物理学类] 

核心收录：

D　O　I：10.7498/aps.53.4334

馆 藏 号：203885466...