半桥结构中的SiC MOSFET串扰电压建模研究

作     者：陈滢 李成敏 鲁哲别 罗皓泽 李楚杉 李武华 何湘宁 CHEN Ying;LI Chenmin;LU Zhebie;LUO Haoze;LI Chushan;LI Wuhua;HE Xiangning

作者机构：浙江大学电气工程学院浙江省杭州市310027 

基　　金：国家自然科学基金(面上基金项目)(51677166) 国家自然科学基金联合基金项目(U183420013) 

出 版 物：《中国电机工程学报》 (Proceedings of the CSEE)

年 卷 期：2020年第40卷第6期

页      码：1775-1786页

摘      要：SiC MOSFET凭借着低开关损耗、高工作频率与高工作温度点等优点,逐渐在高效率、高功率密度与高温的应用场合取代传统的硅功率器件。然而,在高速开关中带来的栅极串扰现象严重制约SiC器件的开关速度。传统的串扰抑制方法重点关注由栅极–漏极寄生电容引入的干扰电压,往往通过减小驱动回路阻抗的方式来降低串扰电压。该文基于SiC MOSFET器件的开关模态,提出考虑共源电感的分段线性化串扰电压模型。该模型基于器件数据手册及双脉冲实验提取的参数,考虑栅极–漏极电容、共源电感、体二极管反向恢复等非理想因素的影响。对比不同电压点、电流点与电阻值下实验与模型的输出结果。该模型表明,串扰电压是由器件栅极–漏极电容、共源电感与驱动回路阻抗共同作用的结果。单一降低驱动回路阻抗的方式对串扰电压的抑制效果有限。基于提出的模型,该文给出串扰电压抑制的指导方法,可直接用于SiC MOSFET驱动电路的设计。

主 题 词：SiC MOSFET 串扰 共源电感 SiC驱动 

学科分类：080801[080801] 0808[工学-自动化类] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

核心收录：

D　O　I：10.13334/j.0258-8013.pcsee.190744

馆 藏 号：203885745...