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空间三结砷化镓太阳电池位移损伤效应研究

空间三结砷化镓太阳电池位移损伤效应研究

作     者:高欣 杨生胜 冯展祖 崔新宇 王俊 曹洲 Gao Xin;Yang Shengsheng;Feng Zhanzu;Cui Xinyu;Wang Jun;Cao Zhou

作者机构:兰州空间技术物理研究所空间材料行为及评价技术重点实验室兰州730000 兰州空间技术物理研究所真空技术与物理重点实验室兰州730000 中国电子科技集团公司第十八研究所天津300384 

基  金:国家自然科学基金(11475078 11375078) 

出 版 物:《太阳能学报》 (Acta Energiae Solaris Sinica)

年 卷 期:2020年第41卷第2期

页      码:290-295页

摘      要:对金属有机化合物化学气相沉淀(MOCVD)生长的三结砷化镓太阳电池进行高能电子和质子辐照试验,获得太阳电池的短路电流、开路电压、最大输出功率辐射衰减数据。发现不同能量电子和质子对太阳电池的辐射衰减系数,可利用电子或质子的位移损伤剂量关联起来。利用该关系对中星10号卫星的三结砷化镓太阳电池阵在轨辐射衰退进行预测,发现太阳电池阵在轨输出功率与地面模拟预测数据基本吻合。研究结果可为空间辐射环境中应用的三结砷化镓太阳电池冗余设计提供参考数据。

主 题 词:太阳电池 砷化镓 辐射效应 位移损伤剂量 预测 

学科分类:0830[工学-生物工程类] 0808[工学-自动化类] 080703[080703] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 0807[工学-电子信息类] 0805[工学-能源动力学] 0825[工学-环境科学与工程类] 0702[理学-物理学类] 

核心收录:

馆 藏 号:203885897...

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