一种高温SOI硅压阻压力芯片的设计与仿真

作     者：王尊敬 李闯 涂孝军 路翼畅 

作者机构：苏州长风航空电子有限公司传感器事业部 

基　　金：博士后国际交流计划引进项目(博管办115号) 中国博士后科学基金第65批面上资助(2019M651934) 

出 版 物：《电子技术与软件工程》 (ELECTRONIC TECHNOLOGY & SOFTWARE ENGINEERING)

年 卷 期：2020年第2期

页      码：79-82页

摘      要：本文设计了一种基于微机电系统(MEMS)技术的硅压阻式绝缘体上硅(SOI)高温压力传感器芯片。从可动膜片结构设计、关键尺寸计算以及有限元分析等方面考虑,对压力芯片可动膜片进行了结构优化;从压敏电阻条的注入位置、几何形状、器件噪声分析和计算等方面设计,最终确定可动膜片的边长为1000μm,膜厚为40μm,压敏电阻条的长度为160μm,宽度为5μm,R1和R3设计成"一"字形,R2和R4设计成"M"形。

主 题 词：高温压力传感器 绝缘体上硅SOI 芯片敏感结构设计 有限元分析 最优尺寸 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 0825[工学-环境科学与工程类] 

馆 藏 号：203885928...