X波段300W GaN功率器件技术

作     者：银军 余若祺 刘泽 吴家锋 段雪 YIN Jun;YU Ruoqi;LIU Ze;WU Jiafeng;DUAN Xue

作者机构：中国电子科技集团公司第十三研究所 

出 版 物：《太赫兹科学与电子信息学报》 (Journal of Terahertz Science and Electronic Information Technology)

年 卷 期：2020年第18卷第1期

页      码：89-94页

摘      要：介绍一种基于国产氮化镓(GaN)外延材料的X波段300 W GaN高效率内匹配器件技术。该技术采用大栅宽芯片的大信号有源模型和封装管壳、键合引线、电容等无源模型,开展X波段300 W内匹配功率器件的设计。采用四胞匹配合成电路,使用L-C网络提升器件阻抗,通过λ/4阻抗变换网络进行阻抗变换和功率合成,实现阻抗50Ω匹配,功率分配器和匹配电容使用高Q值陶瓷基片实现。仿真实验证明,该器件在9.5~10.5 GHz频率内输出功率大于300 W,功率增益大于9 dB,功率附加效率大于38.9%。同时研究了器件输出功率和功率附加效率随工作电压、脉冲宽度、占空比变化情况。

主 题 词：氮化镓 内匹配 X波段 功率 高效率 

学科分类：080902[080902] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.11805/TKYDA2018296

馆 藏 号：203886152...