富硅量不同的富硅二氧化硅薄膜的光致发光研究

作     者：马书懿 秦国刚 马振昌 宗婉华 吴正龙 姚光庆 孟祥提 

作者机构：北京大学物理系 电子工业部第十三研究所 北京师范大学测试中心 北京大学化学系 清华大学核能技术设计研究院 

基　　金：国家自然科学基金 

出 版 物：《Journal of Semiconductors》 (半导体学报（英文版）)

年 卷 期：1998年第19卷第10期

页      码：740-744页

摘      要：以硅－二氧化硅复合靶作为溅射靶，改变靶上硅与总靶面积比为０％，７％，１０％，２０％和３０％，用射频磁控溅射方法在ｐ型硅衬底上淀积了五种富硅量不同的二氧化硅薄膜．所有样品都在３００℃氮气氛中退火３０分钟．通过Ｘ射线光电子能谱、光吸收和光致发光测量确定出：随着硅在溅射靶中面积比的增加，所制备的氧化硅薄膜中纯硅（纳米硅）的量在增加，纳米硅粒的平均光学带隙在减小；但不同富硅量的二氧化硅膜的光致发光谱峰都接近于１．９ｅＶ，随硅在溅射靶中面积比增加，发光峰有很小的红移，其红移量远小于纳米硅粒的平均光学带隙的减少量．以上实验结果与量子限制模型矛盾，却可用量子限制－发光中心模型解释．

主 题 词：富硅二氧化硅 氧化硅薄膜 光致发光 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 0803[工学-仪器类] 

核心收录：

馆 藏 号：203887232...