用于MEMS惯性器件的低噪声读出电路设计

作     者：李金鹏 焦继伟 宓彬伟 张颖 王跃林 Li Jinpeng;Jiao Jiwei;Mi Binwei;Zhang Ying;Wang Yuelin

作者机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室上海200050 中国科学院研究生院北京100049 

基　　金：国家自然科学基金资助项目(60772030) 

出 版 物：《半导体技术》 (Semiconductor Technology)

年 卷 期：2009年第34卷第12期

页      码：1162-1165页

摘      要：给出了一种用于MEMS惯性器件的低噪声读出电路设计,针对MEMS惯性器件大多采用电容量输出等特点,设计了一个低噪声运算放大器,利用该运放,设计了一种基于开关电容的电荷转移电路来将电容量转换为电压量,以便后续电路处理。采用了相关双采样(CDS)技术,较大地减少了电路和MEMS惯性器件的1/f噪声、热噪声,抑制了零漂。采用HHNEC 0.35μmCMOS工艺制造,面积为1 mm×2 mm,与MEMS器件封装在一起,并进行了实际测试,结果表明,该读出电路基本满足要求,并具有较低的噪声。

主 题 词：低噪声 微电子机械系统 相关双采样 电荷转移 惯性器件 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1003-353x.2009.12.003

馆 藏 号：203887277...