3～5 GHz超宽带无电感CMOS低噪声放大器设计

作     者：王巍 宫召英 杨铿 马晓英 唐政维 王岳生 

作者机构：重庆邮电大学光电工程学院重庆400065 

出 版 物：《微电子学与计算机》 (Microelectronics & Computer)

年 卷 期：2012年第29卷第6期

页      码：130-133,137页

摘      要：基于TSMC O.18μm RFCMOS工艺设计了一种无电感并联负反馈的超宽带低噪声放大器(LNA).在3～5 GHz工作频率范围内,电阻电流复用技术为整体电路提供自偏置,使其在足够的带宽范围内均可实现较高增益;同时噪声相消技术又可消除部分沟道热噪声,在很大程度上降低了放大器的噪声系数,由仿真结果可以看到:LNA在3～5 GHz内实现了良好输入输出匹配和较好的线性度,同时得到了较好的电压增益和噪声性能;并且其在整个频带范围内增益达到11～13.9 dB,噪声系数小于4.6 dB.整个设计最大的优点是没有用到片上电感,使得芯片面积大大缩小,这对商业应用具有极大的吸引力。

主 题 词：超宽带 LNA 电流复用 噪声相消 有源电感 

学科分类：080902[080902] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.19304/j.cnki.issn1000-7180.2012.06.030

馆 藏 号：203888456...