基于DDR2的DSO分区交替深存储技术研究

作     者：彭伟 张沁川 袁渊 Peng Wei;Zhang Qinchuan;Yuan Yuan

作者机构：电子科技大学自动化工程学院成都611731 

出 版 物：《电子测量技术》 (Electronic Measurement Technology)

年 卷 期：2013年第36卷第8期

页      码：24-27页

摘      要：具有深存储功能的数字存储示波器(DSO),能够将大量的采集数据存储下来,大大提高了采集到的波形数据的信息含量,能够很好的再现波形细节,为工程师分析信号、解决问题提供了极大的便利。设计采用FPGA外挂DDR2SDRAM颗粒的方式来存储采集数据,并利用FPGA内部的MCBIP核来控制其读写和刷新。以此为基础,研究了基于DDR2SDRAM颗粒的基本深存储设计方案,提出了分区交替深存储技术,并分析了该技术对提升DSO深存储性能的作用及具体实现方法。该技术解决了示波器停止状态下读取DDR2SDRAM颗粒数据与写DDR2SDRAM颗粒之间的矛盾,并在实际测试中取得了很好的效果。

主 题 词：深存储 DDR2SDRAM MCB 分区交替存储 

学科分类：08[工学] 081101[081101] 0811[工学-水利类] 081102[081102] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1002-7300.2013.08.006

馆 藏 号：203888987...